SiC Power Semiconductor กับความหนาที่ลดลงเหลือ 1 ใน 3

อัปเดตล่าสุด 14 มิ.ย. 2561
  • Share :
  • 705 Reads   

เมื่อเดือนมีนาคม 2015 Sansha Electric MFG และ Panasonic ได้ร่วมมือพัฒนาผลิตภัณฑ์ต้นแบบของ โมดูล Power Semiconductor แบบ Silicon Carbide (SiC) จากนั้น Sansha Electric MFG จึงได้ทำการเสนอตัวอย่างให้แก่ Hitachi Zosen Corporation เพื่อทดลองใช้ในระบบเซลล์เชื้อเพลิงสำหรับทดสอบการใช้งานจริง และตัดสินใจเริ่มรับออเดอร์โดยอ้างอิงรุ่นตัวอย่างนี้เป็นมาตรฐาน โดยคาดว่าจะมีราคาไม่รวมภาษีอยู่ที่ 60,000 เยน ซึ่งสำหรับ Panasonic แล้ว ก็เป็นครั้งแรกที่ได้นำโมดูล Power Semiconductor แบบ SiC เข้าสู่ตลาดในฐานะสินค้าแบบผลิตจำนวนมาก

Sansha Electric MFG เผย พร้อมรับออเดอร์โมดูล Power Semiconductor แบบ SiC รุ่นใหม่ในเดือนกรกฎาคมนี้ โดยเซมิคอนดัคเตอร์ประเภท SiC นี้ เมื่อเทียบกับเซมิคอนดัคเตอร์ที่ผลิตจากซิลิคอนทั่วไปแล้ว จะมีข้อดีในด้านความทนทานต่อความร้อน และมีอัตราการสูญเสียพลังงานต่ำ เหมาะแก่การนำไปใช้ในแบตเตอรี่ของ Semiconductor Manufacturing Equipment, เครื่องจักรด้านงานโลหะ, Inverter สำหรับรถไฟ, และอื่น ๆ ซึ่งด้วยวิธีการผลิตที่ได้มาจาก Panasonic นี้เอง ที่ทำให้ผลิตภัณฑ์ที่ได้มีความหนาเหลือเพียง 1 ใน 3 จากผลิตภัณฑ์รุ่นก่อน

โดย Semiconductor แบบ SiC ของ Panasonic นี้ได้ติดตั้งไดโอดซึ่งทำหน้าที่เป็นเหมือนวาล์วควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าให้ไหลไปในทิศทางเดียว ทำให้ชิ้นส่วนที่ใช้มีขนาดเล็กลง นอกจากนี้ ยังมีการทำ Resin Transfer Molding Process จนได้เป็นโมดูลที่มีความหนาเพียง 14 มม. ซึ่งบางที่สุดในวงการอุตสาหกรรมขณะนี้

นอกจากนี้ ตัวโมดูลยังเปลี่ยนมาใช้การเชื่อมส่วนพื้นผิวของเซมิคอนดัคเตอร์ด้วยการบัดกรีอ่อนแทนการใช้สายไฟ ซึ่งเดิมทีแล้วมีอายุการใช้งานจำกัดจากการลอกของสายไฟซึ่งจะเกิดขึ้นเมื่อผ่านการใช้งานเป็นเวลานาน ด้วยเหตุนี้เอง จึงได้เป็นโมดูลที่มีความน่าเชื่อถือมากยิ่งขึ้น อีกทั้งเกิด High Frequency Noises ได้ยากอีกด้วย