บีโอไอไฟเขียว ฮานา-ปตท. ผุดโรงงานผลิตชิปซิลิคอนคาร์ไบด์แห่งแรกในไทย

อัปเดตล่าสุด 24 ก.ย. 2567

บริษัทร่วมทุน ฮานา - ปตท. เดินหน้าแผนลงทุนสร้างโรงงานผลิตชิปชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์แห่งแรกของไทยภายในสิ้นปีนี้ หลังได้รับอนุมัติจากบีโอไอและออกบัตรส่งเสริมเมื่อเดือนสิงหาคม 2567 ลงทุนเฟสแรก 11,500 ล้านบาท เริ่มผลิตภายใน 2 ปี รองรับการเติบโตของกลุ่ม Power Electronics ทั้ง EV, Data Center และระบบกักเก็บพลังงาน ช่วยยกระดับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำของไทย

บีโอไอหนุน “ไทยโอซูก้า” ขยายลงทุนผลิตอาหารทางการแพทย์ เปิดโรงงานแห่งใหม่ ฐานผลิตส่งออกภูมิภาคเอเชีย

วันที่ 20 กันยายน 2567 - นายนฤตม์ เทอดสถีรศักดิ์ เลขาธิการคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน นำคณะลงพื้นที่จังหวัดลำพูน เพื่อติดตามความคืบหน้าโครงการลงทุนผลิตชิป (Wafer Fabrication) แห่งแรกของประเทศไทย ของบริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด (FT1) ซึ่งเป็นการร่วมทุนระหว่างบริษัท ฮานา ไมโครอิเล็คโทรนิคส จำกัด (มหาชน) ผู้ผลิตผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์รายใหญ่ และกลุ่ม ปตท. หลังจากที่บีโอไอได้อนุมัติให้การส่งเสริมเมื่อเดือนกุมภาพันธ์ 2567 จากนั้นบริษัทได้ดำเนินการออกบัตรส่งเสริมเมื่อเดือนสิงหาคมที่ผ่านมา บีโอไอได้ทำงานร่วมกับบริษัทฯ อย่างใกล้ชิด เพื่อสนับสนุนการดำเนินการในขั้นตอนต่าง ๆ โดยปัจจุบันอยู่ระหว่างการออกแบบโรงงาน และเตรียมเริ่มก่อสร้างโรงงานในพื้นที่สวนอุตสาหกรรมเครือสหพัฒน์ จังหวัดลำพูน ภายในเดือนธันวาคมของปีนี้ โดยคาดว่าจะใช้เวลาก่อสร้างและติดตั้งเครื่องจักรประมาณ 2 ปี ก่อนจะเริ่มผลิตในช่วงไตรมาสแรกของปี 2570

บริษัท เอฟทีวัน คอร์เปอเรชั่น จำกัด จะจัดตั้งโรงงานผลิตชิปต้นน้ำแห่งแรกในประเทศไทย เงินลงทุนเฟสแรกกว่า 11,500 ล้านบาท โดยรับการถ่ายทอดเทคโนโลยีจากผู้ผลิตชิปชั้นนำของเกาหลีใต้ เพื่อผลิตชิป (Wafer) ชนิดซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว โดยมีคุณสมบัติสำคัญที่แตกต่างจากชิปทั่วไปที่ผลิตจากซิลิคอน คือ สามารถทนกระแสไฟฟ้าและความร้อนสูงได้ จึงเหมาะสมสำหรับการใช้ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ควบคุมการแปลงพลังงานไฟฟ้า (Power Electronics) เช่น เครื่อง Server ใน Data Center อุปกรณ์อัดประจุไฟฟ้าสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า Inverter ในยานยนต์ไฟฟ้าและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ รวมถึงอุปกรณ์แปลงพลังงานไฟฟ้าที่ใช้ในระบบกักเก็บพลังงาน ซึ่งกลุ่มอุตสาหกรรมเหล่านี้มีแนวโน้มเติบโตสูงในอนาคต

เหตุผลสำคัญของการเลือกประเทศไทยเป็นที่ตั้งของโครงการนี้ เนื่องจากข้อกำหนดหลักของลูกค้า คือ

1) ต้องตั้งในประเทศที่มีความเป็นกลางเพื่อลดความเสี่ยงทางภูมิรัฐศาสตร์

2) มีต้นทุนที่แข่งขันได้

3) มีขีดความสามารถในการขยายกำลังการผลิตในอนาคต ซึ่งประเทศไทยสามารถตอบโจทย์เหล่านี้ นอกจากนี้ ไทยยังมีโครงสร้างพื้นฐานที่มีคุณภาพสูง ไฟฟ้ามีความเสถียร มีศักยภาพด้านพลังงานสะอาด บุคลากรมีคุณภาพสูง มาตรการสนับสนุนที่ดีจากภาครัฐ อุตสาหกรรมรถยนต์ EV ระบบกักเก็บพลังงาน และ Data Center ที่กำลังเติบโตสูง อีกทั้งโรงงานของฮานาฯ ในไทย มีการประกอบกิจการที่ต่อเนื่องจากการผลิตชิปอยู่แล้ว โดยเฉพาะขั้นตอนการประกอบและทดสอบวงจรรวม (IC Assembly and Testing)

“อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์เป็นหัวใจสำคัญของการพัฒนาอุตสาหกรรมเป้าหมายต่าง ๆ ในอนาคต ไม่ว่าจะเป็นยานยนต์ไฟฟ้า อิเล็กทรอนิกส์ ดิจิทัล โทรคมนาคม ระบบอัตโนมัติและหุ่นยนต์ หรืออุปกรณ์การแพทย์ ที่ผ่านมาบทบาทของไทยอยู่ในขั้นกลางน้ำ คือ การรับจ้างประกอบและทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ หรือที่เรียกว่า OSAT โครงการลงทุนผลิตชิปครั้งนี้ จะเป็นก้าวสำคัญที่ส่งผลต่อการยกระดับประเทศไทยไปสู่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ต้นน้ำ นอกจากจะช่วยสร้างงานและการพัฒนาบุคลากรด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี ผ่านความร่วมมือในการพัฒนาหลักสูตรกับมหาวิทยาลัยในไทยและการถ่ายทอดองค์ความรู้ด้านเซมิคอนดักเตอร์จากเกาหลีใต้แล้ว ยังจะส่งเสริมผู้ประกอบการไทยให้เข้าสู่ซัพพลายเชนของเซมิคอนดักเตอร์ และนำไปสู่การพัฒนาระบบนิเวศของอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง ซึ่งจะช่วยให้สามารถดึงดูดผู้ผลิตอิเล็กทรอนิกส์ชั้นนำรายอื่น ๆ ให้เข้ามาลงทุนในไทยอีกด้วย” นายนฤตม์ กล่าว

บทความยอดนิยม 10 อันดับ